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全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法
1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫
2016-10-13
专利权人中国科学院上海技术物理研究所
公开日期2017-11-21
授权国家中国
专利类型发明
专利号201610893709.8
专利状态授权
专利代理人上海新天专利代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://202.127.2.71:8080/handle/181331/11728
专题上海技物所
作者单位中国科学院上海技术物理研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫. 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法. 201610893709.8[P]. 2016-10-13.
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