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题名: 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法
作者: 1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫
申请日期: 2016-10-13
专利国别: 中国
专利号: 201610893709.8
专利状态: 授权
公开日期: 2017-11-21
专利类型: 发明
权利人: 中国科学院上海技术物理研究所
专利代理: 上海新天专利代理有限公司
内容类型: 专利
URI标识: http://202.127.2.71:8080/handle/181331/11728
Appears in Collections:上海技物所_专利

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作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所

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1胡伟达 2王建禄 3郑定山 4骆文锦 5王鹏 6陈效双 7陆卫. 全耗尽铁电侧栅单根纳米线近红外光电探测器及制备方法. 201610893709.8. 2016.
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